专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种低损耗的外延薄膜材料及其制备方法-CN202310690364.6在审
  • 蒋书文;叶东瑾;聂鹏昊;张万里 - 电子科技大学
  • 2023-06-12 - 2023-08-22 - H10N97/00
  • 本发明属于功能材料技术领域,提供一种低损耗的外延薄膜材料及其制备方法,用以作为介质薄膜变容器的介质层材料。本发明基于磁控溅射方法在低失配衬底上以较高的衬底温度、较低生长速率制备得到薄膜,实现薄膜与衬底之间的外延生长关系,得到外延薄膜材料;所述外延薄膜材料具有(001)外延结构,比多晶结构的薄膜具有更大的介电常数;并且,外延薄膜材料具有缺陷少、外延质量高的优点;同时,外延薄膜材料在高频下具有低损耗特性;另外,本发明中外延薄膜材料的外延制备工艺采用射频磁控溅射工艺,能够实现薄膜的大面积和大批量制备
  • 一种损耗外延钛酸锶钡薄膜材料及其制备方法
  • [发明专利]-镁陶瓷的制备方法-CN201010122374.2无效
  • 樊慧庆;柯善明 - 西北工业大学
  • 2010-03-11 - 2010-08-25 - C04B35/468
  • 本发明公开了一种-镁陶瓷的制备方法,用于解决现有技术制备方法制备的-镁陶瓷材料湿敏响应滞后、高湿环境中易潮解的技术问题,其技术方案是将碳酸,碳酸和二氧化粉体混合后,在丙酮中球磨,然后煅烧制备粉体;粉体与六水和氯化镁在玛瑙研钵中研磨混合制备-镁粉体;然后烧结得到-镁陶瓷。由于利用钙矿相的A位原子对湿度的敏感性,通过其他元素取代A位原子,提升了其对湿度的敏感性。
  • 钛酸锶钡钛酸镁陶瓷制备方法
  • [发明专利]厚膜材料的制备方法-CN201010117949.1有效
  • 樊慧庆;符云飞 - 西北工业大学
  • 2010-03-04 - 2010-08-18 - C04B35/468
  • 本发明公开了一种厚膜材料的制备方法,用于解决现有技术制备方法制备的带有基底的厚膜材料电学性能差的技术问题,其技术方案是将醋酸、氢氧化四正丁酯、冰醋酸、乙二醇甲醚、乙酰丙酮进行配料,制备出BST胶体,所得BST胶体进行流延成型后,进行高温烧结,得到厚膜材料。由于采用流延法制备出了无基底的厚膜材料,厚膜材料的介电损耗由大约0.02降低到0.02以下,提高了厚膜材料的电学性能,而且厚膜材料的致密度高、粒度均匀。
  • 钛酸锶钡厚膜材料制备方法
  • [发明专利]一种厚膜及其制备方法-CN201711371751.4在审
  • 鲁圣国;代广周;姚英邦;陶涛;梁波 - 广东工业大学
  • 2017-12-19 - 2018-05-04 - C04B35/468
  • 本发明提供了一种厚膜的制备方法,包括以下步骤A)将碳酸、碳酸、二氧化与溶剂混合,进行球磨,得到混合物;B)将所述混合物经过烘干、过筛、预烧结和二次球磨,得到粉体;C)将所述粉体、分散剂、粘结剂、增塑剂以及溶剂混合,得到浆料,将所述浆料流延成型,得到厚生坯膜;D)将所述厚生坯膜温等静压后烧结,得到厚膜。本发明以碳酸、碳酸和二氧化为原料,采用两次球磨两次烧结,并流延法制备得到厚膜,该厚膜厚度在55微米左右,晶粒较均匀,无气孔,具有良好的电卡效应。
  • 一种钛酸锶钡厚膜及其制备方法
  • [实用新型]铌镁复合微波介质陶瓷片-CN201120363110.6有效
  • 单连伟 - 哈尔滨理工大学
  • 2011-09-26 - 2012-06-06 - B32B18/00
  • 铌镁复合微波介质陶瓷片。微波介质陶瓷广泛应用于卫星、雷达、移动通信等众多领域,20世纪后期,微电子信息处理技术和电子信息技术获得了快速的发展,这极大促进了微波移动通信技术的发展需求。一种铌镁复合微波介质陶瓷片,其组成包括:铌镁膜(1)、膜(2),所述的铌镁膜上复合膜,然后再复合铌镁膜,再复合铌镁膜,如此反复,将铌镁膜和膜交替复合成层叠结构
  • 铌镁酸钡钛酸锶钡复合微波介质陶瓷
  • [发明专利]单晶及制备方法-CN201811325287.X有效
  • 张红芳;高炬 - 苏州科技大学
  • 2018-11-08 - 2020-12-25 - C30B29/32
  • 本发明属于单晶的技术领域,具体涉及一种单晶及制备方法。所述制备方法包括:固相反应制备设定比的块体,进一步制成200~2000目的微米粉末;采用溶胶‑凝胶法制备前躯体溶胶,进一步烘干后获得设定比的无定形干凝胶粉;将步骤1)中所述微米粉体、步骤2)中所述干凝胶粉与溶剂混合的浆料,所述浆料烘干后压制成素坯试样,然后将所述素坯试样在烧结炉中烧结,烧结温度为1200~1350℃,烧结完成后随炉冷却至室温获得设定比的单晶产物。与现有技术相比,本发明具有如下优势:烧结温度低,可以获得固定比的单晶体;工艺简单,成本低,复制性强。
  • 钛酸锶钡单晶制备方法
  • [发明专利]一种-聚偏氟乙烯共聚物铁电材料及其制法-CN202010825249.1在审
  • 王志越 - 嵊州市汇业新材料科技有限公司
  • 2020-08-17 - 2020-12-04 - C08L27/16
  • 本发明涉及聚偏氟乙烯铁电材料技术领域,且公开了一种‑聚偏氟乙烯共聚物铁电材料,包括以下配方原料:聚氨酯包覆‑铁铋、聚偏氟乙烯、乙烯‑三氟氯乙烯共聚物。该一种‑聚偏氟乙烯共聚物铁电材料,固相熔融法制备出的固溶体的介电常数更大,通过镧掺杂铁铋的修饰,增强了的剩余磁化强度和饱和磁化强度,降低了其介电损耗,使固溶体呈现出优异的介电和铁电性能,在和铁铋的表面包覆一层聚氨酯,通过熔融共混交联成共聚物,大幅改善了‑铁铋在聚偏氟乙烯中的分散性和相容性,从而增强了聚偏氟乙烯的介电性能和铁电性能。
  • 一种钛酸锶钡聚偏氟乙烯共聚物材料及其制法
  • [发明专利]陶瓷靶的制备方法-CN03116802.7无效
  • 张汝冰;杨春生;冯洁 - 上海交通大学
  • 2003-05-08 - 2003-10-15 - C04B35/465
  • 一种陶瓷靶的制备方法属于材料领域。方法如下:先将四氯化、氯化、氯化钡分别配制成水溶液;将上述水溶液加入草酸水溶液中进行合成反应,控制pH值得到白色草酸氧沉淀;将沉淀洗涤、过滤、烘干后进行热分解即得复合粉粉末;将得到的粉末经预处理后按化学计量比配料,经球磨机球磨粉碎后,放于硅碳棒炉中预烧;将预烧好的粉末经球磨机再粉碎后,由液压机压成块材,并进行等静压成型;放于硅碳棒炉中最终烧结,得到陶瓷靶。本发明制备合成的粉体,具有高纯、超细、高均匀性和高活性,较好完全满足射频磁控溅射的要求,因此,本发明的陶瓷靶是一种很有应用前景的新型靶材。
  • 钛酸锶钡陶瓷制备方法
  • [发明专利]一种均匀氟化的方法-CN201410705883.6有效
  • 翟继卫;刘少辉;安振连;沈波 - 同济大学
  • 2015-08-02 - 2015-07-29 - C04B35/468
  • 本发明涉及一种均匀氟化的方法:(1)粉体羟基化:将粉体加入到双氧水中,控制温度为100℃处理3-5h,用去离子水、酒精清洗后在干燥箱中干燥2h;(2)粉体氟化:将表面羟基化的粉体放入氟化室中,将氟化室加热到30~100℃,并将氟化室抽真空并进行氮气置换,然后将氟气或氟氮混合气通入氟化室中,氟化室压力控制在-0.08MPa~0.1MPa,维持原有温度反应20~300min,制备得到氟化粉体现有技术相比,本发明具有简单易行、成本低、方便快速等优点,可以在对等铁电陶瓷粉体进行氟化处理。
  • 一种均匀氟化钛酸锶钡方法

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